- 2025-03-20【项目实战】Redis常见问题之缓存击穿、缓存穿透、缓存雪崩
Redis作为一款流行的内存数据存储系统,经常被用作缓存来提高应用的性能。然而,在使用Redis作为缓存时,可能会遇到一些问题,如缓存击穿、缓存穿透和缓存雪崩。这些问题可能导致系统性能下降甚至服务不可用。下面是对这三种常见问题的简要解释及解决方案,每种方案都有其适用场景与
- 2025-03-13缓存穿透、击穿、雪崩
概述 用户的数据一般都是存储在数据库中,也就是硬盘上,但硬盘的读写速度是计算机里最慢的硬件了。当用户请求都访问数据库,访问量一上来,数据库很容易就崩溃了,所以为了避免用户直接访问数据库,会用redis作为缓存层。 redis作为内存数据库,内存的读写
- 2025-03-13油中含气量对击穿电压的影响
油中含气量对击穿电压的影响曲线可以通过以下分析得出:含气量对击穿电压的影响油中含气量的增加会显著降低击穿电压。这是因为气体在油中形成自由状态的气泡,这些气泡在电场作用下容易形成导电“小桥”,从而降低击穿电压。当含气量较低时,溶解状态的气体对击穿电压的影响较小;但
- 2025-03-13含气量对击穿电压的影响在不同温度下的具体变化趋势是怎样的?
含气量对击穿电压的影响在不同温度下的具体变化趋势可以总结如下:含气量对击穿电压的影响当含气量较低时,溶解状态的气体对击穿电压影响较小。然而,当含气量增加到一定程度后,自由状态的气体开始释放,导致击穿电压显著降低。气体的释放会形成“小桥”,即气体分子在电场作用下逐渐
- 2025-03-11如何选择合适的数显电压击穿测试仪:五大核心要素助你精准决策
一、引言在电力电子、新能源、材料研发等领域,绝缘材料的安全性与可靠性直接关系到产品性能与用户安全。数显电压击穿测试仪作为检测绝缘材料耐压强度的核心设备,其选购不仅需要技术考量,更需结合实际应用场景。本文将从五大维度解析选购要点,助你避开误区,选到真正符合需求的“电
- 2025-02-21功率MOS管的参数说明
图解功率MOS管的每一个参数! 最大额定参数 最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参
- 2025-02-03关于缓存击穿和缓存雪崩的介绍和解决方案
前言:前面我们学习了缓存异常中的缓存穿透问题,接下来我们继续跟着咱奶学习缓存击穿和缓存雪崩一、缓存击穿→网红蛋糕突然过期被抢光问题:网红款**“魔芋蛋糕”**库存突然标记为“已过期”(缓存失效),但实际仓库还有新批次(数据库有数据)。所有顾客挤在柜台要求买蛋糕,店员
- 2025-01-19查询缓存击穿解决方案
查询缓存击穿解决方案在现代分布式系统中,缓存技术是提高系统性能和降低数据库负载的重要手段。然而,当缓存中的数据过期或不可用时,可能会发生缓存击穿(CacheBreakdown)。缓存击穿会导致大量的请求直接访问数据库,从而给数据库带来较大的压力,甚至可能导致数据库崩溃。为了应对
- 2025-01-17电容器常见的故障原因及修理方法
被动元器件,保护器件,合金电阻,采样电阻,特殊电阻--顺海科技:廖先生电容器常见的故障原因及修理方法一、一般电容器症状:开放电容器,击穿,漏,断电后故障原因1、元器件开路电容器可以进行发展开路后,没有形成一个电容器的作用。不同的电路电容器开路故障发生后,这取决于具体的电路故障
- 2025-01-16什么是缓存穿透、缓存击穿、缓存雪崩与其解决方案
目录缓存穿透缓存击穿缓存雪崩缓存穿透:无效请求绕过缓存访问数据库。缓存击穿:某个热点数据缓存失效,导致并发请求直接访问数据库。缓存雪崩:大量缓存同时失效,导致请求集中访问数据库,数据库压力骤增缓存穿透定义:缓存穿透指的是查询一个根本不存在的数据,这种查询会绕
- 2025-01-16随笔_电路基础_TVS/ESD管
电路基础知识_分集41.TVS管常见电源方案有:DC座供电、Type-C供电;其通常在板级边缘的VBUS电源线通过TVS管旁路并联到地;1.1 TVS管保护原理线路板上TVS管与后级被保护电路并联。当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS将发生雪崩击穿(雪崩击穿与齐纳击穿同属于二极管的电击
- 2025-01-10【模拟电子技术】05-二极管的微变等效和稳压二极管
【模拟电子技术】05-二极管的微变等效和稳压二极管经过图中推导可得到等效电阻与温度当量UT相关,并且与托高作用的直流电压相关,下面是二极管的微变等效思路。等效后电路如下,注意直流电压源已经等效在坐标图中将原点移动,因此分析的时候不要再考虑。至此二极管V-A特性曲线正
- 2025-01-09【模拟电子技术】03-PN与二极管的特性
【模拟电子技术】03-PN与二极管的特性上节中有提到对PN结施加反向电压时,会使得PN结所形成的势垒增加,阻止多子到另一边。在掺杂浓度比较低的时候,外加电场加强,中间的耗尽层会加长,变成了一个粒子加速器,自由电子进去后不断加速。直到某一电场强度时,粒子加速足够大的时候,撞在了共价键
- 2025-01-07redis缓存穿透、缓存击穿、缓存雪崩
redis缓存穿透、缓存击穿、缓存雪崩区别和解决方案缓存穿透描述:缓存穿透是指缓存和数据库中都没有的数据,而用户不断发起请求。由于缓存是不命中时被动写的,并且出于容错考虑,如果从存储层查不到数据则不写入缓存,这将导致这个不存在的数据每次请求都要到存储层去查询,失去了
- 2024-12-12如何使用SOLIDWORKS绘制圣诞树讲座预约
最新一期的线上讲座预约开始啦,本期内容将为大家演示使用SOLIDWORKS绘制圣诞树的操作流程,扫描页尾二维码即可预约,免费观看,欢迎参与。讲座方式:视频号直播报名方式:扫描页尾二维码预约讲座时间:12月20日14:00有奖活动圣诞节将至,为此SoldKits推出一期有奖互动小活动,12月13日
- 2024-09-24缓存穿透、击穿和雪崩的认识
一、前言在redis的使用中会遇到缓存失效、缓存穿透、缓存雪崩等问题。分布式缓存服务,主要是为了解决集群环境下,内存数据不共享的问题,比如session会话,以及一些字典缓存等等,在当前服务器的内存中存储,在另一台服务器中难以获取查询的问题,通过引入缓存服务,将缓存数据统一归一到一个服
- 2024-09-11redis的雪崩、击穿和穿透
redis是一种缓存工具,可以大大减少对数据库访问时数据库的压力,同时也可以让我们在对数据的读取时更方便,但由于某些因素,redis也可能会存在雪崩、击穿和穿透的风险:(引用自https://blog.csdn.net/wangxuanyang_zer/article/details/134420084)1、雪崩:是指在某一时间内大量的缓存失效或
- 2024-08-24【通俗易懂】一篇文章带你了解Redis缓存击穿、缓存穿透、缓存雪崩
目录一、什么是缓存击穿、缓存穿透、缓存雪崩?二、解决方法2.1缓存击穿异步定时更新互斥锁2.2缓存穿透缓存空值布隆过滤器BloomFilter2.3缓存雪崩设置不同的过期时间集群热点数据永不过期一、什么是缓存击穿、缓存穿透、缓存雪崩?缓存击穿:是指当某一个key的
- 2024-08-20半导体器件设计概述
功率半导体的内涵功率半导体是一类能够在高电压、高电流条件下工作的半导体器件,主要用于开关、控制和转换电能,功率半导体的基本原理可归纳为以下三个方面:截至特性:当功率半导体截至时,其内部的电阻变得很大,从而阻止电流通过,起到开关的作用,耐压很高。导通特性:当功率半导体导通时,
- 2024-08-14关于缓存的击穿、雪崩、穿透
击穿:形象过程为当一个key过于火爆,很多用户同时查找这个key,造成高并发的同时这个缓存如果瞬间失效,导致大量业务进入数据库进行查询,造成性能差等一些问题。解决方法:1.设置缓存时间永不过期2.加锁排队,使其由并行成为串行。雪崩:在第一个的基础上,是多个key在同一时间缓存失效,或者
- 2024-08-13什么是缓存击穿、缓存穿透、缓存雪崩?
1.缓存击穿(CacheBreakdown)定义:缓存击穿指的是缓存中某个热点数据在过期或被删除后,突然失效,导致大量请求同时到达数据库。由于热点数据的缓存失效,这些请求会同时直接访问数据库,导致数据库负载急剧增加。具体场景:假设一个电商平台的一个热销商品的库存信息被缓存了。
- 2024-08-04缓存击穿和缓存穿透
缓存击穿和缓存穿透都是缓存系统中可能出现的问题,但它们的原因和解决方法有所不同。 ###缓存击穿缓存击穿通常发生在高并发场景下,当某个热门数据的缓存刚好过期时,大量请求同时到达,发现缓存中没有数据,因此这些请求会直接落到后端数据库,导致数据库瞬间压力激增,这种情况称为